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↳ STM32 内部Flash模拟EEPROM时，磨损均衡算法如何设计以延长寿命？

考虑使用环形缓冲区结构，每个扇区内部循环写入，配合磨损计数，当扇区擦除次数超过平均值一定比例时，触发全片数据搬移，简单有效。

2026-08-27

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