STM32H5通过工业4级EMC认证（附测试报告）

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（图：ST官方实验室辐射抗扰度测试场景，3m法半电波暗室）

关键数据披露：

• 静电抗扰度：接触放电±8kV（IEC 61000-4-2标准）下无复位
• 辐射抗扰度：在10V/m 80MHz-1GHz场强下，CAN通信误码率<1e-6
• 快速脉冲群：±4kV测试中，ADC采样偏差<0.5%（对比前代H7提升3倍）
  
  

工业设计建议：

• PCB布局需注意：
  1. 晶体振荡器周围保留≥3mm净空区2. 所有IO口串联22Ω电阻（抑制高频振铃）
  
• 官方参考设计下载：ST UM3042手册